TFE BH3/4F - установки вакуумного магнетронного напыления
TFE BH3/4F — установки вакуумного магнетронного напыления тонких пленок с горизонтальным расположением подложек и магнетронных источников. Установки этой серии позволяют распылять металлы, резистивные сплавы и диэлектрики из трёх либо четырёх источников. Шлюзовая загрузка обеспечивает высокую производительность, благодаря чему этот тип установок хорошо подходит для серийного производства. Дополнительные возможности: предварительное травление, нагрев до 400 гр., реактивное осаждение.
|
Модель |
BH3F |
BH4F |
|
Размер магнетронных источников |
76 мм х 381 мм; 127 мм х 381 мм; 76 мм х 431 мм; 127 мм х 431 мм |
|
|
Количество обрабатываемых подложек за один рабочий цикл |
16 шт, диаметром 76 мм; 9 шт, диаметром 102 мм |
|
|
Размер подложек (макс.) |
315 х 315 мм |
|
|
Количество магнетронных источников |
3 |
4 |
|
Мощность DC источника питания |
10 кВт |
|
|
Мощность RF источника питания |
1 кВт; опционально — 2 кВт |
|
|
Перемещение подложек в процессе напыления |
Сканирующий режим |
|
|
Размещение подложек |
Горизонтальное, распыление вниз |
|
|
Нагрев подложек |
До 250°С, опционально — до 400°С |
|
|
Однородность толщины напыляемых пленок |
± 3% |
|
|
Травление подложек |
RF источник до 1 кВт/2 кВт; опционально — плазменный источник |
|
|
Типы насосов |
Криогенный; опционально — турбомолекулярный |
|
|
Предельный вакуум |
5 х 10−7 мбар |
|
